据消息人士 Reptalica 披露，苹果公司在新款 iPhone 系列手机的存储配置上有所调整。其中，256GB 和 512GB 容量的版本将继续沿用 TLC NAND 闪存技术，其供应商名单包括 SK 海力士、铠侠和闪迪。

然而，在 1TB 容量的版本中，苹果计划采用 TLC 和 QLC 闪存混合使用的策略。具体来说，该版本将主要搭载 SK 海力士的 BC8Q-1T QLC NAND 芯片，并辅以少量三星的 3DV8 1TB TLC NAND 芯片。至于 2TB 容量的机型，则据称将全部采用 SK 海力士的 BC8Q-2T QLC NAND 闪存。

TLC 闪存技术每个存储单元能记录 3 bit 数据，其特点是写入速度相对稳定且较快，同时耐久性也普遍优于 QLC 技术，但制造成本也相对较高。相比之下，QLC 闪存技术每个单元可存储 4 bit 数据，尽管成本较低且容量更大，但写入速度通常较慢，稳定性和使用寿命也相对较弱。这意味着，在 iPhone Pro 的高配版本上，可能会出现性能上的下降。

外媒 wccftech 分析认为，苹果此举的动机可能在于成本控制。在 NAND 闪存成本持续攀升的背景下，苹果显然在寻求维持利润的方法。然而，针对高配版本的这种调整，可能会引发高端用户的负面评价，并使得 256GB 和 512GB 版本在性价比方面显得更具竞争力。