美光科技在其 2026 财年第三季度财报演示中披露，其从力晶科技手中购得的铜锣一厂，预计将在 2027 年年中开始实现显著的 DRAM 出货量，这一时间点比原先的计划提前了一个季度。
紧邻铜锣一厂（洁净室面积约 28000 平方米）的美光铜锣二厂的建设工作也已正式启动。该新厂的洁净室面积约为 25000 平方米，未来将配备支持 EUV 光刻的设备，以满足 1γ、1δ 及更先进的 DRAM 工艺需求。
此外，美光还指出，其位于新加坡、于 2025 年初开始建设的高带宽内存（HBM）先进封装工厂，预计从 2027 年上半年开始，将对其后端产能产生实质性贡献。
在其他财报相关文件中，美光科技亦提及，其 1γ 16Gb LPDDR5X 产品已实现量产并开始出货。同时，1γ 24Gb LPDDR5X 已向多家移动设备原始设备制造商（OEM）提供样品。针对汽车行业，1γ LPDDR5 已达到产品就绪状态并开始出样，此外，首批车规级 1γ DDR5 也已向一家自动驾驶出租车公司进行了出样。
